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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSZ050N03MSG
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSZ050N03MSG - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSZ050N03MSG
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSZ050N03MSG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Descrizione dettagliata
Pacchetto
-
Scheda dati
BSZ050N03MSG.pdf
In magazzino: 4170

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BSZ050N03MSG
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSZ050N03MSG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSZ050N03MSG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) -  
Tecnologia -  
Contenitore dispositivo fornitore -  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Dissipazione di potenza (max) -  
Contenitore / involucro -  
temperatura di esercizio -  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio -  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Tipo FET -  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) -  
Tensione drain-source (Vdss) -  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSZ050N03MSG

Proprietà del prodotto BSZ050N03MSG BSZ058N03MSG BSZ0589NSATMA1 BSZ050N03LSG
Modello di prodotti BSZ050N03MSG BSZ058N03MSG BSZ0589NSATMA1 BSZ050N03LSG
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (max) a Id, Vgs - 5mOhm @ 20A, 10V 4.4mOhm @ 8A, 10V 5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (max) a Id - 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
temperatura di esercizio - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) - 2.1W (Ta), 45W (Tc) 2.1W (Ta) 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Contenitore / involucro - 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - 3100 pF @ 15 V 950 pF @ 15 V 2800 pF @ 15 V
Contenitore dispositivo fornitore - PG-TSDSON-8 PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8
Vgs (Max) - ±20V ±20V ±20V
Tipo FET - N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) - 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) - 30 V 30 V 30 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - 14A (Ta), 40A (Tc) 17A (Ta) 16A (Ta), 80A (Tc)
Tipo montaggio - Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - 40 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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