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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSZ0503NSIATMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSZ0503NSIATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSZ0503NSIATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSZ0503NSIATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
BSZ0503NSIATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 69390

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSZ0503NSIATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSZ0503NSIATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSZ0503NSIATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TSDSON-8-FL  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.4mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 36W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta), 40A (Tc)  
Numero di prodotto di base BSZ0503  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSZ0503NSIATMA1

Proprietà del prodotto BSZ0503NSIATMA1 BSZ0589NSATMA1 BSZ050N03MSGATMA1 BSZ042N04NSG
Modello di prodotti BSZ0503NSIATMA1 BSZ0589NSATMA1 BSZ050N03MSGATMA1 BSZ042N04NSG
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 36W (Tc) 2.1W (Ta) 2.1W (Ta), 48W (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 40 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base BSZ0503 BSZ0589 BSZ050 -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta), 40A (Tc) 17A (Ta) 15A (Ta), 40A (Tc) 40A (Tc)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN TO-220-3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Rds On (max) a Id, Vgs 3.4mOhm @ 20A, 10V 4.4mOhm @ 8A, 10V 4.5mOhm @ 20A, 10V 4.2mOhm @ 20A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8 TO-220AB
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 15 V 950 pF @ 15 V 3600 pF @ 15 V 3700 pF @ 20 V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ 3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 36µA

BSZ0503NSIATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSZ0503NSIATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSZ0503NSIATMA1 - Infineon Technologies.

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