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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciBSO615CGXUMA1
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSO615CGXUMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSO615CGXUMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSO615CGXUMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
BSO615CGXUMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 67640

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSO615CGXUMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSO615CGXUMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSO615CGXUMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 20µA, 2V @ 450µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-DSO-8  
Serie SIPMOS®  
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V  
Potenza - Max 2W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V, 460pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A (Ta), 2A (Ta)  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base BSO615  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSO615CGXUMA1

Proprietà del prodotto BSO615CGXUMA1 BSO612CV BSO615CGHUMA1 BSO612CVG
Modello di prodotti BSO615CGXUMA1 BSO612CV BSO615CGHUMA1 BSO612CVG
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore dispositivo fornitore PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 20µA, 2V @ 450µA 4V @ 20µA 2V @ 20µA 4V @ 20µA, 4V @ 450µA
Numero di prodotto di base BSO615 BSO612 BSO615 -
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Standard
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V 15.5nC @ 10V 22.5nC @ 10V 15.5nC @ 10V, 16nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V, 460pF @ 25V 340pF @ 25V 380pF @ 25V 340pF, 400pF @ 25V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A (Ta), 2A (Ta) 3A, 2A 3.1A, 2A 3A (Ta), 2A (Ta)
Potenza - Max 2W (Ta) 2W 2W 2W (Ta)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Tensione drain-source (Vdss) 60V 60V 60V 60V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS® -
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V 120mOhm @ 3A, 10V 110mOhm @ 3.1A, 10V 120mOhm @ 3A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel -

BSO615CGXUMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSO615CGXUMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSO615CGXUMA1 - Infineon Technologies.

Packaging PCN
Mult Dev Cover Tape Chg 13/Jul/2022.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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