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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSO4410
BSO4410 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSO4410 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSO4410
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSO4410
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
BSO4410.pdf
In magazzino: 4570

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSO4410
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSO4410, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSO4410

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 42µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 13mOhm @ 11.1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1280 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11.1A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSO4410

Proprietà del prodotto BSO4410 BSO4822 BSO303SP BSO303SPH
Modello di prodotti BSO4410 BSO4822 BSO303SP BSO303SPH
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (max) a Id, Vgs 13mOhm @ 11.1A, 10V 10mOhm @ 12.7A, 10V 21mOhm @ 9.1A, 10V 21mOhm @ 9.1A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1280 pF @ 25 V 1640 pF @ 25 V 2330 pF @ 25 V 2330 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS® -P SIPMOS®
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11.1A (Ta) 12.7A (Ta) 7.2A (Ta) 7.2A (Ta)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 42µA 2V @ 55µA 2V @ 100µA 2V @ 100µA
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 5 V 26.2 nC @ 5 V 54 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 1.56W (Ta) 1.56W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO PG-DSO-8 PG-DSO-8-1 PG-DSO-8-1
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk

BSO4410 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSO4410 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSO4410 - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 22/Feb/2008.pdf
Schede tecniche
BSO4410.pdf

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Europa Germania 5
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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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