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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBSO613SPVGXUMA1
BSO613SPVGXUMA1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSO613SPVGXUMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSO613SPVGXUMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSO613SPVGXUMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
BSO613SPVGXUMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 85920

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BSO613SPVGXUMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSO613SPVGXUMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSO613SPVGXUMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-DSO-8-6  
Serie Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®  
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 3.44A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 875 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.44A (Ta)  
Numero di prodotto di base BSO613  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSO613SPVGXUMA1

Proprietà del prodotto BSO613SPVGXUMA1 BSO4410 BSO4822 BSO4420
Modello di prodotti BSO613SPVGXUMA1 BSO4410 BSO4822 BSO4420
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 30 V 30 V 30 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 21 nC @ 5 V 26.2 nC @ 5 V 33.7 nC @ 5 V
Serie Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 3.44A, 10V 13mOhm @ 11.1A, 10V 10mOhm @ 12.7A, 10V 7.8mOhm @ 13A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore PG-DSO-8-6 8-SO PG-DSO-8 PG-DSO-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.44A (Ta) 11.1A (Ta) 12.7A (Ta) 13A (Ta)
Numero di prodotto di base BSO613 - BSO482 -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA 2V @ 42µA 2V @ 55µA 2V @ 80µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 875 pF @ 25 V 1280 pF @ 25 V 1640 pF @ 25 V 2213 pF @ 25 V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

BSO613SPVGXUMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSO613SPVGXUMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSO613SPVGXUMA1 - Infineon Technologies.

Packaging PCN
Mult Dev Cover Tape Chg 13/Jul/2022.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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