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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciBSC155N06NDATMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSC155N06NDATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSC155N06NDATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSC155N06NDATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRENCH 40<-<100V
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
BSC155N06NDATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 51250

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSC155N06NDATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSC155N06NDATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSC155N06NDATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 20µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-4  
Serie OptiMOS™-T2  
Rds On (max) a Id, Vgs 15.5mOhm @ 17A, 10V  
Potenza - Max 50W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 30V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base BSC155  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSC155N06NDATMA1

Proprietà del prodotto BSC155N06NDATMA1 BSC150N03LD BSC150N03LDGATMA1 BSC152N10NSFG
Modello di prodotti BSC155N06NDATMA1 BSC150N03LD BSC150N03LDGATMA1 BSC152N10NSFG
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Numero di prodotto di base BSC155 BSC150 BSC150 -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 30V 1100pF @ 15V 1100pF @ 15V 1900 pF @ 50 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 15.5mOhm @ 17A, 10V 15mOhm @ 20A, 10V 15mOhm @ 20A, 10V 15.2mOhm @ 25A, 10V
Potenza - Max 50W (Tc) 26W 26W -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V 6.4nC @ 10V 13.2nC @ 10V 29 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™-T2 OptiMOS™3 OptiMOS™ OptiMOS™2
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 20µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 4V @ 72µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc) 8A 8A 9.4A (Ta), 63A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 60V 30V 30V 100 V

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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