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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciBSC150N03LD
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSC150N03LD - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSC150N03LD
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSC150N03LD
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
BSC150N03LD.pdf
In magazzino: 75490

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSC150N03LD
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSC150N03LD, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSC150N03LD

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-4  
Serie OptiMOS™3  
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V  
Potenza - Max 26W  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base BSC150  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSC150N03LD

Proprietà del prodotto BSC150N03LD BSC155N06NDATMA1 BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDG
Modello di prodotti BSC150N03LD BSC155N06NDATMA1 BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDG
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Serie OptiMOS™3 OptiMOS™-T2 OptiMOS™ -
Potenza - Max 26W 50W (Tc) 26W -
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 10V 29nC @ 10V 13.2nC @ 10V -
Tensione drain-source (Vdss) 30V 60V 30V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A 20A (Tc) 8A -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V 15.5mOhm @ 17A, 10V 15mOhm @ 20A, 10V -
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN -
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA 4V @ 20µA 2.2V @ 250µA -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Numero di prodotto di base BSC150 BSC155 BSC150 -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V 2250pF @ 30V 1100pF @ 15V -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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