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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciBSC150N03LDGATMA1
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BSC150N03LDGATMA1 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
BSC150N03LDGATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-BSC150N03LDGATMA1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
BSC150N03LDGATMA1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 83110

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BSC150N03LDGATMA1
Specifiche tecniche Infineon Technologies - BSC150N03LDGATMA1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - BSC150N03LDGATMA1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-4  
Serie OptiMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V  
Potenza - Max 26W  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base BSC150  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies BSC150N03LDGATMA1

Proprietà del prodotto BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LD BSC155N06NDATMA1 BSC12DN20NS3GATMA
Modello di prodotti BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LD BSC155N06NDATMA1 BSC12DN20NS3GATMA
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 4V @ 20µA -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A 8A 20A (Tc) -
Potenza - Max 26W 26W 50W (Tc) -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 10V 6.4nC @ 10V 29nC @ 10V -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 60V -
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Numero di prodotto di base BSC150 BSC150 BSC155 -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™3 OptiMOS™-T2 -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V 1100pF @ 15V 2250pF @ 30V -
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V 15mOhm @ 20A, 10V 15.5mOhm @ 17A, 10V -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -

BSC150N03LDGATMA1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BSC150N03LDGATMA1 PDF e la documentazione Infineon Technologies per BSC150N03LDGATMA1 - Infineon Technologies.

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Giappone 4
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