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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRFR3607
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AUIRFR3607 - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
AUIRFR3607
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRFR3607
Modello ECAD
Descrizione delle parti
AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
AUIRFR3607.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4790

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Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRFR3607
Specifiche tecniche International Rectifier - AUIRFR3607, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - AUIRFR3607

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 46A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3070 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 75 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 56A (Tc)  
Numero di prodotto di base AUIRFR3607  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier AUIRFR3607

Proprietà del prodotto AUIRFR3607 AUIRFR3710ZTRL AUIRFR3710Z AUIRFR2905Z
Modello di prodotti AUIRFR3607 AUIRFR3710ZTRL AUIRFR3710Z AUIRFR2905Z
fabbricante International Rectifier International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 56A (Tc) 42A (Tc) 42A (Tc) 42A (Tc)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 75 V 100 V 100 V 55 V
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Tube
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 46A, 10V 18mOhm @ 33A, 10V 18mOhm @ 33A, 10V 14.5mOhm @ 36A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc) 110W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3070 pF @ 50 V 2930 pF @ 25 V 2930 pF @ 25 V 1380 pF @ 25 V
Numero di prodotto di base AUIRFR3607 - - AUIRFR2905
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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