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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRFR3710ZTRL
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AUIRFR3710ZTRL - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
AUIRFR3710ZTRL
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRFR3710ZTRL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
AUIRFR3710ZTRL.pdf
In magazzino: 4860

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Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRFR3710ZTRL
Specifiche tecniche International Rectifier - AUIRFR3710ZTRL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - AUIRFR3710ZTRL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 33A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2930 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc)  

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Proprietà del prodotto AUIRFR3710ZTRL AUIRFR3504Z AUIRFR3806TRL AUIRFR4105
Modello di prodotti AUIRFR3710ZTRL AUIRFR3504Z AUIRFR3806TRL AUIRFR4105
fabbricante International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc) 42A (Tc) 43A (Tc) 20A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Bulk Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak D-Pak D-PAK (TO-252AA) D-Pak
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 50µA 4V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2930 pF @ 25 V 1510 pF @ 25 V 1150 pF @ 50 V 700 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 40 V 60 V 55 V
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc) 90W (Tc) 71W (Tc) 68W (Tc)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 33A, 10V 9mOhm @ 42A, 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V 45mOhm @ 16A, 10V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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