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AUIRFR2905ZTRL - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRFR2905ZTRL
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRFR2905ZTRL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
AUIRFR2905ZTRL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 37710

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRFR2905ZTRL
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRFR2905ZTRL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRFR2905ZTRL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 14.5mOhm @ 36A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1380 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc)  
Numero di prodotto di base AUIRFR2905  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies AUIRFR2905ZTRL

Proprietà del prodotto AUIRFR2905ZTRL AUIRFR120Z AUIRFR3710Z AUIRFR2607Z
Modello di prodotti AUIRFR2905ZTRL AUIRFR120Z AUIRFR3710Z AUIRFR2607Z
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier International Rectifier
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1380 pF @ 25 V 310 pF @ 25 V 2930 pF @ 25 V 1440 pF @ 25 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Numero di prodotto di base AUIRFR2905 - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 25µA 4V @ 250µA 4V @ 50µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (max) a Id, Vgs 14.5mOhm @ 36A, 10V 190mOhm @ 5.2A, 10V 18mOhm @ 33A, 10V 22mOhm @ 30A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc) 35W (Tc) 140W (Tc) 110W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc) 8.7A (Tc) 42A (Tc) 42A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 100 V 100 V 75 V

AUIRFR2905ZTRL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AUIRFR2905ZTRL PDF e la documentazione Infineon Technologies per AUIRFR2905ZTRL - Infineon Technologies.

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