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AUIRFB8409 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AUIRFB8409 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRFB8409
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRFB8409
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
AUIRFB8409.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 6048

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRFB8409
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRFB8409, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRFB8409

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.3mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14240 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 450 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc)  
Numero di prodotto di base AUIRFB8409  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies AUIRFB8409

Proprietà del prodotto AUIRFB8409 AUIRFB3207 AUIRFBA1405 AUIRFB8405
Modello di prodotti AUIRFB8409 AUIRFB3207 AUIRFBA1405 AUIRFB8405
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Numero di prodotto di base AUIRFB8409 - - AUIRFB8405
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14240 pF @ 25 V 7600 pF @ 50 V 5480 pF @ 25 V 5193 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 75 V 55 V 40 V
Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc) 300W (Tc) 330W (Tc) 163W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc) 75A (Tc) 95A (Tc) 120A (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3.9V @ 100µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 1.3mOhm @ 100A, 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 5mOhm @ 101A, 10V 2.5mOhm @ 100A, 10V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-273AA TO-220-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 450 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 161 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220AB SUPER-220™ (TO-273AA) TO-220AB

AUIRFB8409 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AUIRFB8409 PDF e la documentazione Infineon Technologies per AUIRFB8409 - Infineon Technologies.

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