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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AUIRF1404ZSTRL - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRF1404ZSTRL
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRF1404ZSTRL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
AUIRF1404ZSTRL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 11457

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRF1404ZSTRL
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRF1404ZSTRL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRF1404ZSTRL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB)  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.7mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4340 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 160A (Tc)  
Numero di prodotto di base AUIRF1404  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies AUIRF1404ZSTRL

Proprietà del prodotto AUIRF1404ZSTRL AUIRF1404Z AUIRF2804 AUIRF1404STRL
Modello di prodotti AUIRF1404ZSTRL AUIRF1404Z AUIRF2804 AUIRF1404STRL
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 3.7mOhm @ 75A, 10V 3.7mOhm @ 75A, 10V 2.3mOhm @ 75A, 10V 4mOhm @ 95A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 160A (Tc) 160A (Tc) 195A (Tc) 75A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numero di prodotto di base AUIRF1404 AUIRF1404 - -
Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc) 200W (Tc) 300W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4340 pF @ 25 V 4340 pF @ 25 V 6450 pF @ 25 V 7360 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Bulk Bulk
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB) TO-220AB TO-220 D2PAK

AUIRF1404ZSTRL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AUIRF1404ZSTRL PDF e la documentazione Infineon Technologies per AUIRF1404ZSTRL - Infineon Technologies.

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