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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRF1404STRL
Infineon Technologies
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AUIRF1404STRL - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
AUIRF1404STRL
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRF1404STRL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET_(20V,40V)
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
AUIRF1404STRL.pdf
In magazzino: 9586

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Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRF1404STRL
Specifiche tecniche Infineon Technologies - AUIRF1404STRL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - AUIRF1404STRL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4mOhm @ 95A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7360 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  

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Proprietà del prodotto AUIRF1404STRL AUIRF1405ZS AUIRF1404ZSTRL AUIRF1404
Modello di prodotti AUIRF1404STRL AUIRF1405ZS AUIRF1404ZSTRL AUIRF1404
fabbricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D2PAK D²PAK (TO-263AB) TO-220AB
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 55 V 40 V 40 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 4mOhm @ 95A, 10V 4.9mOhm @ 75A, 10V 3.7mOhm @ 75A, 10V 4mOhm @ 121A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 230W (Tc) 200W (Tc) 333W (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 150A (Tc) 160A (Tc) 160A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 196 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7360 pF @ 25 V 4780 pF @ 25 V 4340 pF @ 25 V 5669 pF @ 25 V

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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