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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAUIRF1404S
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

AUIRF1404S - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
AUIRF1404S
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-AUIRF1404S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
AUIRF1404S.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 13513

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Specifiche

Specifiche tecnologiche AUIRF1404S
Specifiche tecniche International Rectifier - AUIRF1404S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - AUIRF1404S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4mOhm @ 95A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7360 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier AUIRF1404S

Proprietà del prodotto AUIRF1404S AUIRF1404STRL AUIRF1324WL AUIRF1324S-7P
Modello di prodotti AUIRF1404S AUIRF1404STRL AUIRF1324WL AUIRF1324S-7P
fabbricante International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Pacchetto Bulk Bulk Tube Bulk
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 252 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D2PAK TO-262-3 Wide PG-TO263-7
Rds On (max) a Id, Vgs 4mOhm @ 95A, 10V 4mOhm @ 95A, 10V 1.3mOhm @ 195A, 10V 1mOhm @ 160A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 24 V 24 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 240A (Tc) 240A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Wide Leads TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7360 pF @ 25 V 7360 pF @ 25 V 7630 pF @ 19 V 7700 pF @ 19 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET®

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
Contattaci se hai domande.

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