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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOI5N40
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOI5N40 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOI5N40
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOI5N40
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 400V 4.2A TO251A
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Scheda dati
TO251A Pkg Drawing.pdf
AOx5N40.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 92160

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOI5N40
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI5N40, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI5N40

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-251A  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.6Ohm @ 1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 78W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Stub Leads, IPak  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 400 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOI5  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI5N40

Proprietà del prodotto AOI5N40 AOI518 AOI508 AOI4S60
Modello di prodotti AOI5N40 AOI518 AOI508 AOI4S60
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie - - - aMOS™
Dissipazione di potenza (max) 78W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 56.8W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 2.6V @ 250µA 2.2V @ 250µA 4.1V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 400 V 30 V 30 V 600 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V 22.5 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak
Contenitore dispositivo fornitore TO-251A TO-251A TO-251A TO-251A
Rds On (max) a Id, Vgs 1.6Ohm @ 1A, 10V 8mOhm @ 20A, 10V 3mOhm @ 20A, 10V 900mOhm @ 2A, 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Tc) 18A (Ta), 46A (Tc) 22A (Ta), 70A (Tc) 4A (Tc)
Numero di prodotto di base AOI5 AOI51 AOI50 AOI4
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 951 pF @ 15 V 2010 pF @ 15 V 263 pF @ 100 V

AOI5N40 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOI5N40 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOI5N40 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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Europa Germania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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