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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOI510
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOI510 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOI510
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOI510
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 45A/70A TO251A
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Scheda dati
TO251A Pkg Drawing.pdf
AOI510.pdf
In magazzino: 4090

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOI510
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI510, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI510

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-251A  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.6mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 7.5W (Ta), 60W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Stub Leads, IPak  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2719 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 45A (Ta), 70A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOI51  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI510

Proprietà del prodotto AOI510 AOI514 AOI66406 AOI7N65
Modello di prodotti AOI510 AOI514 AOI66406 AOI7N65
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base AOI51 AOI51 AOI664 AOI7
Serie - - AlphaSGT™ -
Contenitore dispositivo fornitore TO-251A TO-251A TO-251A TO-251A
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 45A (Ta), 70A (Tc) 17A (Ta), 46A (Tc) 25A (Ta), 60A (Tc) 7A (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 40 V 650 V
Dissipazione di potenza (max) 7.5W (Ta), 60W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 6.2W (Ta), 52W (Tc) 178W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Rds On (max) a Id, Vgs 2.6mOhm @ 20A, 10V 5.9mOhm @ 20A, 10V 6.1mOhm @ 20A, 10V 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2719 pF @ 15 V 1187 pF @ 15 V 1480 pF @ 20 V 1180 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

AOI510 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOI510 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOI510 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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Informazioni ambientali
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EOL 27/Oct/2016.pdf Mult Dev LTB Update 12/Mar/2018.pdf
Schede tecniche
TO251A Pkg Drawing.pdf AOI510.pdf

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Europa Germania 5
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