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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOI514
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOI514 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOI514
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOI514
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 17A/46A TO251A
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Scheda dati
TO251A Pkg Drawing.pdf
AOD/AOI/AOY514.pdf
In magazzino: 4110

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOI514
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI514, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI514

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-251A  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.9mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Stub Leads, IPak  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1187 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Ta), 46A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOI51  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI514

Proprietà del prodotto AOI514 AOI538 AOI7N65 AOI516
Modello di prodotti AOI514 AOI538 AOI7N65 AOI516
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 650 V 30 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 250µA 2.2V @ 250µA 4.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Numero di prodotto di base AOI51 AOI53 AOI7 AOI51
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Ta), 46A (Tc) 34A (Ta), 70A (Tc) 7A (Tc) 18A (Ta), 46A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 5.9mOhm @ 20A, 10V 3.1mOhm @ 20A, 10V 1.56Ohm @ 3.5A, 10V 5mOhm @ 20A, 10V
Serie - AlphaMOS - -
Contenitore / involucro TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1187 pF @ 15 V 2160 pF @ 15 V 1180 pF @ 25 V 1229 pF @ 15 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-251A TO-251A TO-251A TO-251A
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 4.2W (Ta), 24W (Tc) 178W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)

AOI514 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOI514 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOI514 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Altri documenti correlati
AOS Green Policy.pdf
Informazioni ambientali
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Schede tecniche
TO251A Pkg Drawing.pdf AOD/AOI/AOY514.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
EOL 26/Jan/2016.pdf

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