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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOI4146
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOI4146 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOI4146
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOI4146
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 15A/55A TO251A
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Scheda dati
AOI4146.pdf
In magazzino: 4990

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOI4146
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI4146, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI4146

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-251A  
Serie SDMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.6mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 62W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Stub Leads, IPak  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2440 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta), 55A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOI41  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI4146

Proprietà del prodotto AOI4146 AOI423 AOI418 AOI403
Modello di prodotti AOI4146 AOI423 AOI418 AOI403
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-251A TO-251A TO-251A TO-251A
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2440 pF @ 15 V 2760 pF @ 15 V 1380 pF @ 15 V 3500 pF @ 15 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Contenitore / involucro TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 62W (Tc) 2.5W (Ta), 90W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 90W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta), 55A (Tc) 15A (Ta), 70A (Tc) 13.5A (Ta), 36A (Tc) 15A (Ta), 70A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base AOI41 AOI42 AOI41 AOI40
Rds On (max) a Id, Vgs 5.6mOhm @ 20A, 10V 6.7mOhm @ 20A, 20V 8mOhm @ 20A, 10V 6.7mOhm @ 20A, 20V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Caratteristica FET - - - -
Serie SDMOS™ - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V, 20V 4.5V, 10V 10V, 20V
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±25V

AOI4146 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOI4146 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOI4146 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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Informazioni ambientali
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