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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOI4185
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOI4185 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOI4185
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOI4185
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 40V 40A TO251A
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Scheda dati
TO251A Pkg Drawing.pdf
AOx4185.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 149800

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOI4185
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI4185, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI4185

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-251A  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Stub Leads, IPak  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2550 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOI41  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI4185

Proprietà del prodotto AOI4185 AOI442 AOI468 AOI4130
Modello di prodotti AOI4185 AOI442 AOI468 AOI4130
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) 2.1W (Ta), 60W (Tc) 150W (Tc) 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore TO-251A TO-251A TO-251A TO-251A
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) 7A (Ta), 37A (Tc) 11.5A (Tc) 6.5A (Ta), 30A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2550 pF @ 20 V 2300 pF @ 30 V 790 pF @ 25 V 1900 pF @ 30 V
Serie - - - -
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 2.7V @ 250µA 4.5V @ 250µA 2.8V @ 250µA
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -50°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V 20mOhm @ 20A, 10V 420mOhm @ 6A, 10V 24mOhm @ 20A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 60 V 300 V 60 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Contenitore / involucro TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numero di prodotto di base AOI41 AOI44 AOI46 AOI41
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Tube Tube Tube

AOI4185 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOI4185 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOI4185 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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AOS Green Policy.pdf
Informazioni ambientali
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Schede tecniche
TO251A Pkg Drawing.pdf AOx4185.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Multiple Products 02/Mar/2021.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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