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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOI4102
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOI4102 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOI4102
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOI4102
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 8A/19A TO251A
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Scheda dati
AOI4102.pdf
In magazzino: 4800

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOI4102
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI4102, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI4102

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-251A  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 37.5mOhm @ 12A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 4.2W (Ta), 21W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Stub Leads, IPak  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 432 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Ta), 19A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOI41  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI4102

Proprietà del prodotto AOI4102 AOI2610E AOI4146 AOI2N60A
Modello di prodotti AOI4102 AOI2610E AOI4146 AOI2N60A
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Rds On (max) a Id, Vgs 37.5mOhm @ 12A, 10V - 5.6mOhm @ 20A, 10V 4.7Ohm @ 1A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-251A TO-251A TO-251A TO-251A
Tipo FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base AOI41 AOI261 AOI41 AOI2
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipazione di potenza (max) 4.2W (Ta), 21W (Tc) - 2.5W (Ta), 62W (Tc) 57W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA - 3V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V - 30 V 600 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Ta), 19A (Tc) - 15A (Ta), 55A (Tc) 2A (Tc)
Serie - * SDMOS™ -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 432 pF @ 15 V - 2440 pF @ 15 V 295 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V - 42 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pacchetto Tube Tube Tube Tube

AOI4102 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOI4102 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOI4102 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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