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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOI2610
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOI2610 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOI2610
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOI2610
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 10A/46A TO251A
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Scheda dati
AOI2610.pdf
In magazzino: 4400

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOI2610
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI2610, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI2610

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-251A  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 10.7mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 71.5W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Stub Leads, IPak  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2007 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta), 46A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOI261  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI2610

Proprietà del prodotto AOI2610 AOI1N60 AOI296A AOI4102
Modello di prodotti AOI2610 AOI1N60 AOI296A AOI4102
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta), 46A (Tc) 1.3A (Tc) 70A (Tc) 8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 10.7mOhm @ 20A, 10V 9Ohm @ 650mA, 10V 8.3mOhm @ 20A, 10V 37.5mOhm @ 12A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-251A TO-251A TO-251A TO-251A
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 2.3V @ 250µA 3V @ 250µA
Serie - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2007 pF @ 30 V 160 pF @ 25 V 3130 pF @ 50 V 432 pF @ 15 V
Contenitore / involucro TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 600 V 100 V 30 V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numero di prodotto di base AOI261 AOI1 AOI296 AOI41
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 71.5W (Tc) 45W (Tc) 89W (Tc) 4.2W (Ta), 21W (Tc)

AOI2610 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOI2610 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOI2610 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Informazioni ambientali
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL - LTS Rev 31/Oct/2017.pdf Mult Dev EOL 23/Jan/2017.pdf

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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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