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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOI208
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOI208 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOI208
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOI208
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 18A/54A TO251A
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Scheda dati
AOI208.pdf
In magazzino: 5180

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOI208
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI208, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOI208

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-251A  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.1mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 62W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Stub Leads, IPak  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 54A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOI20  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI208

Proprietà del prodotto AOI208 AOI2610 AOI2N60A AOI2614
Modello di prodotti AOI208 AOI2610 AOI2N60A AOI2614
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Contenitore dispositivo fornitore TO-251A TO-251A TO-251A TO-251A
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 54A (Tc) 10A (Ta), 46A (Tc) 2A (Tc) 13A (Ta), 35A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Stub Leads, IPak
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 15 V 2007 pF @ 30 V 295 pF @ 25 V 1340 pF @ 30 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 5.1mOhm @ 20A, 10V 10.7mOhm @ 20A, 10V 4.7Ohm @ 1A, 10V 16mOhm @ 20A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 60 V 600 V 60 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 62W (Tc) 2.5W (Ta), 71.5W (Tc) 57W (Tc) 6.2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Numero di prodotto di base AOI20 AOI261 AOI2 AOI261
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA

AOI208 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOI208 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOI208 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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Informazioni ambientali
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