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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOH3106
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOH3106 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOH3106
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOH3106
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
AOH3106.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 213480

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOH3106
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOH3106, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOH3106

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-4  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 360mOhm @ 2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 185 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)  
Numero di prodotto di base AOH31  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOH3106

Proprietà del prodotto AOH3106 IPD85P04P4L06ATMA1 IXFL34N100 STP26NM60N
Modello di prodotti AOH3106 IPD85P04P4L06ATMA1 IXFL34N100 STP26NM60N
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Infineon Technologies IXYS STMicroelectronics
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-264-3, TO-264AA TO-220-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Serie - Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ HiPerFET™ MDmesh™ II
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 185 pF @ 50 V 6580 pF @ 25 V 9200 pF @ 25 V 1800 pF @ 50 V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2.2V @ 150µA 5V @ 8mA 4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-4 PG-TO252-3-313 ISOPLUS264™ TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) 85A (Tc) 30A (Tc) 20A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±30V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta) 88W (Tc) 550W (Tc) 140W (Tc)
Numero di prodotto di base AOH31 IPD85P04 IXFL34 STP26
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 104 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 360mOhm @ 2A, 10V 6.4mOhm @ 85A, 10V 280mOhm @ 30A, 10V 165mOhm @ 10A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 40 V 1000 V 600 V

AOH3106 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOH3106 PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOH3106 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Altri documenti correlati
AOS Green Policy.pdf
Informazioni ambientali
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Schede tecniche
AOH3106.pdf

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Asia India 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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