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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRFP70N03
RFP70N03 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RFP70N03 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
RFP70N03
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-RFP70N03
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
RFP70N03, RF1S70N03/SM.pdf
In magazzino: 4090

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RFP70N03
Specifiche tecniche onsemi - RFP70N03, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - RFP70N03

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 70A, 10V  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 20 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)  
Numero di prodotto di base RFP70  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi RFP70N03

Proprietà del prodotto RFP70N03 RFP50N06 RFP50N05L RFP50N06
Modello di prodotti RFP70N03 RFP50N06 RFP50N05L RFP50N06
fabbricante onsemi Harris Corporation onsemi onsemi
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 20 V 150 nC @ 20 V 140 nC @ 10 V 150 nC @ 20 V
Numero di prodotto di base RFP70 - RFP50 RFP50
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V 2020 pF @ 25 V - 2020 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie - - - -
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 70A, 10V 22mOhm @ 50A, 10V 22mOhm @ 50A, 5V 22mOhm @ 50A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 60 V 50 V 60 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

RFP70N03 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RFP70N03 PDF e la documentazione onsemi per RFP70N03 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
RFP70N03, RF1S70N03/SM.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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