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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBUK9M10-30EX
NXP USA Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BUK9M10-30EX - NXP USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
BUK9M10-30EX
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-BUK9M10-30EX
Modello ECAD
Descrizione delle parti
BUK9M10-30E - N-CHANNEL 30V, LOG
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Scheda dati
BUK9M10-30E.pdf
In magazzino: 5200

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BUK9M10-30EX
Specifiche tecniche NXP USA Inc. - BUK9M10-30EX, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP USA Inc. - BUK9M10-30EX

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK33  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.8mOhm @ 15A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 55W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1249 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.2 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 54A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP USA Inc. BUK9M10-30EX

Proprietà del prodotto BUK9M10-30EX BUK9M14-40EX BUK9M15-40HX BUK9M120-100EX
Modello di prodotti BUK9M10-30EX BUK9M14-40EX BUK9M15-40HX BUK9M120-100EX
fabbricante NXP USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 1mA 2.1V @ 1mA 2.2V @ 1mA 2.05V @ 1mA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.2 nC @ 5 V 11.3 nC @ 5 V 16.2 nC @ 10 V 8.8 nC @ 5 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V 5V 4.5V, 10V 5V
Vgs (Max) ±10V ±10V ±16V ±10V
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK33 LFPAK33 LFPAK33 LFPAK33
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 54A (Tc) 44A (Tc) 30A (Ta) 11.5A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 40 V 40 V 100 V
Rds On (max) a Id, Vgs 7.8mOhm @ 15A, 10V 11mOhm @ 15A, 10V 15mOhm @ 10A, 10V 119mOhm @ 5A, 10V
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Dissipazione di potenza (max) 55W (Tc) 55W (Tc) 44W (Ta) 44W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1249 pF @ 25 V 1211 pF @ 25 V 1026 pF @ 25 V 882 pF @ 25 V
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

BUK9M10-30EX Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BUK9M10-30EX PDF e la documentazione NXP USA Inc. per BUK9M10-30EX - NXP USA Inc..

Schede tecniche
BUK9M10-30E.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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