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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOB266L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOB266L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOB266L
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOB266L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 18A/140A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing.pdf
AOT266L/AOB266L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 40498

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOB266L
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB266L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB266L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 3.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.2mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 268W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 140A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOB266  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB266L

Proprietà del prodotto AOB266L AOB270L AOB2608L AOB270AL
Modello di prodotti AOB266L AOB270L AOB2608L AOB270AL
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 75 V 60 V 75 V
Vgs (th) (max) a Id 3.2V @ 250µA 3V @ 250µA 3.6V @ 250µA 3.3V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 30 V 10350 pF @ 37.5 V 2995 pF @ 30 V 10830 pF @ 37.5 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 3.2mOhm @ 20A, 10V 2.3mOhm @ 20A, 10V 7.6mOhm @ 20A, 10V 2.4mOhm @ 20A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 206 nC @ 10 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 140A (Tc) 21.5A (Ta), 140A (Tc) 11A (Ta), 72A (Tc) 21.5A (Ta), 140A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 268W (Tc) 2.1W (Ta), 500W (Tc) 2.1W (Ta), 100W (Tc) 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Numero di prodotto di base AOB266 AOB270 AOB260 AOB270
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 10V 6V, 10V

AOB266L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOB266L PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOB266L - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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Europa Germania 5
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Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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