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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOB2618L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOB2618L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOB2618L
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOB2618L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 7A/23A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing.pdf
AOx2618L.pdf
In magazzino: 3620

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOB2618L
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB2618L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB2618L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 19mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 41.5W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta), 23A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOB2618  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB2618L

Proprietà del prodotto AOB2618L AOB2606L AOB264L AOB256L
Modello di prodotti AOB2618L AOB2606L AOB264L AOB256L
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 150 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 3.2V @ 250µA 2.8V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 30 V 4050 pF @ 30 V 8400 pF @ 30 V 1165 pF @ 75 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 41.5W (Tc) 2.1W (Ta), 115W (Tc) 2.1W (Ta), 333W (Tc) 2.1W (Ta), 83W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta), 23A (Tc) 13A (Ta), 72A (Tc) 19A (Ta), 140A (Tc) 3A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 19mOhm @ 20A, 10V 6.2mOhm @ 20A, 10V 3mOhm @ 20A, 10V 85mOhm @ 10A, 10V
Numero di prodotto di base AOB2618 AOB2606 AOB264 AOB256

AOB2618L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOB2618L PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOB2618L - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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