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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAOB260L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

AOB260L - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

fabbricante Modello di prodotti
AOB260L
fabbricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-AOB260L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing.pdf
AOT260L/AOB260L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 19573

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche AOB260L
Specifiche tecniche Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB260L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOB260L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 3.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.2mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.9W (Ta), 330W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14200 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta), 140A (Tc)  
Numero di prodotto di base AOB260  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB260L

Proprietà del prodotto AOB260L AOB256L AOB262L AOB254L
Modello di prodotti AOB260L AOB256L AOB262L AOB254L
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vgs (th) (max) a Id 3.2V @ 250µA 2.8V @ 250µA 3.2V @ 250µA 2.7V @ 250µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta), 140A (Tc) 3A (Ta), 19A (Tc) 20A (Ta), 140A (Tc) 4.2A (Ta), 32A (Tc)
Serie - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 2.2mOhm @ 20A, 10V 85mOhm @ 10A, 10V 2.8mOhm @ 20A, 10V 46mOhm @ 20A, 10V
Numero di prodotto di base AOB260 AOB256 AOB262 AOB254
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 150 V 60 V 150 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak) TO-263 (D2Pak)
Dissipazione di potenza (max) 1.9W (Ta), 330W (Tc) 2.1W (Ta), 83W (Tc) 2.1W (Ta), 333W (Tc) 2.1W (Ta), 125W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14200 pF @ 30 V 1165 pF @ 75 V 9800 pF @ 30 V 2150 pF @ 75 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

AOB260L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica AOB260L PDF e la documentazione Alpha & Omega Semiconductor Inc. per AOB260L - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

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TO263 (D2PAK) Pkg Drawing.pdf AOT260L/AOB260L.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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