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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRFP70N03
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RFP70N03 - Harris Corporation

fabbricante Modello di prodotti
RFP70N03
fabbricante
Harris Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-RFP70N03
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
RFP70N03.pdf
In magazzino: 24054

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Specifiche

Specifiche tecnologiche RFP70N03
Specifiche tecniche Harris Corporation - RFP70N03, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Harris Corporation - RFP70N03

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Harris Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 70A, 10V  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 20 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Harris Corporation RFP70N03

Proprietà del prodotto RFP70N03 RFP50N06 RFP70N06 RFP6P10
Modello di prodotti RFP70N03 RFP50N06 RFP70N06 RFP6P10
fabbricante Harris Corporation Harris Corporation onsemi Harris Corporation
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220AB
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 20 V 150 nC @ 20 V 156 nC @ 20 V -
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 70A, 10V 22mOhm @ 50A, 10V 14mOhm @ 70A, 10V 600mOhm @ 6A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 60 V 60 V 100 V
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V 2020 pF @ 25 V 2250 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc) 50A (Tc) 70A (Tc) 6A (Tc)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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