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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRFP50N05L
RFP50N05L Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RFP50N05L - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
RFP50N05L
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-RFP50N05L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 50V 50A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
RFP50N05L.pdf
In magazzino: 4900

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Specifiche

Specifiche tecnologiche RFP50N05L
Specifiche tecniche onsemi - RFP50N05L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - RFP50N05L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 50A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 50 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)  
Numero di prodotto di base RFP50  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi RFP50N05L

Proprietà del prodotto RFP50N05L RFP6P10 RFP50N06 RFP45N06
Modello di prodotti RFP50N05L RFP6P10 RFP50N06 RFP45N06
fabbricante onsemi Harris Corporation onsemi onsemi
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Bulk Tube Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc) 6A (Tc) 50A (Tc) 45A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 50A, 5V 600mOhm @ 6A, 10V 22mOhm @ 50A, 10V 28mOhm @ 45A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 50 V 100 V 60 V 60 V
Caratteristica FET - - - -
Serie - - - -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc) 60W (Tc) 131W (Tc) 131W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base RFP50 - RFP50 RFP45
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±10V ±20V ±20V ±20V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V - 150 nC @ 20 V 150 nC @ 20 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220AB TO-220-3 TO-220-3

RFP50N05L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RFP50N05L PDF e la documentazione onsemi per RFP50N05L - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf RFP50N05L.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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