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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRFP45N06
RFP45N06 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RFP45N06 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
RFP45N06
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-RFP45N06
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
RFG45N06, RFP45N06, RF1S45N06SM.pdf
In magazzino: 5190

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Specifiche

Specifiche tecnologiche RFP45N06
Specifiche tecniche onsemi - RFP45N06, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - RFP45N06

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 45A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 131W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 20 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 45A (Tc)  
Numero di prodotto di base RFP45  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi RFP45N06

Proprietà del prodotto RFP45N06 RFP40N10 RFP30P06 RFP3055LE
Modello di prodotti RFP45N06 RFP40N10 RFP30P06 RFP3055LE
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 20 V 300 nC @ 20 V 170 nC @ 20 V 11.3 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 5V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 45A (Tc) 40A (Tc) 30A (Tc) 11A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 45A, 10V 40mOhm @ 40A, 10V 65mOhm @ 30A, 10V 107mOhm @ 8A, 5V
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 100 V 60 V 60 V
Numero di prodotto di base RFP45 RFP40 RFP30 RFP30
Serie - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 25 V - 3200 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 131W (Tc) 160W (Tc) - 38W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±16V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel

RFP45N06 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RFP45N06 PDF e la documentazione onsemi per RFP45N06 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf RFG45N06, RFP45N06, RF1S45N06SM.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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