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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRFP30N06LE
RFP30N06LE Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RFP30N06LE - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
RFP30N06LE
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-RFP30N06LE
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
RFP30N06LE, RF1S30N06LESM.pdf
In magazzino: 5350

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Specifiche

Specifiche tecnologiche RFP30N06LE
Specifiche tecniche onsemi - RFP30N06LE, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - RFP30N06LE

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) +10V, -8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 47mOhm @ 30A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 96W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta)  
Numero di prodotto di base RFP30  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi RFP30N06LE

Proprietà del prodotto RFP30N06LE RFP3055LE RFP4N05L RFP30P05
Modello di prodotti RFP30N06LE RFP3055LE RFP4N05L RFP30P05
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA - 4V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 96W (Tc) 38W (Tc) - -
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Vgs (Max) +10V, -8V ±16V - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V - 50 V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 - TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta) 11A (Tc) - 30A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel - P-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 - TO-220-3
Tipo montaggio Through Hole Through Hole - Through Hole
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V 11.3 nC @ 10 V - 170 nC @ 20 V
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V - 3200 pF @ 25 V
Numero di prodotto di base RFP30 RFP30 - RFP30
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V 5V - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 47mOhm @ 30A, 5V 107mOhm @ 8A, 5V - 65mOhm @ 30A, 10V
Serie - - * -

RFP30N06LE Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RFP30N06LE PDF e la documentazione onsemi per RFP30N06LE - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf RFP30N06LE, RF1S30N06LESM.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 14/Mar/2011.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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