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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI6954ADQ-T1-E3
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI6954ADQ-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI6954ADQ-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI6954ADQ-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Scheda dati
Si6954ADQ.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 75110

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SI6954ADQ-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI6954ADQ-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI6954ADQ-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA (Min)  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 53mOhm @ 3.4A, 10V  
Potenza - Max 830mW  
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI6954  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI6954ADQ-T1-E3

Proprietà del prodotto SI6954ADQ-T1-E3 SI6963BDQ-T1-GE3 SI6953DQ SI6955ADQ-T1-E3
Modello di prodotti SI6954ADQ-T1-E3 SI6963BDQ-T1-GE3 SI6953DQ SI6955ADQ-T1-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A 3.4A 1.9A (Ta) 2.5A
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - - 218pF @ 10V -
Numero di prodotto di base SI6954 SI6963 SI6953 SI6955
Potenza - Max 830mW 830mW 600mW (Ta) 830mW
Rds On (max) a Id, Vgs 53mOhm @ 3.4A, 10V 45mOhm @ 3.9A, 4.5V 170mOhm @ 1.9A, 10V 80mOhm @ 2.9A, 10V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA (Min) 1.4V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Tensione drain-source (Vdss) 30V 20V 20V 30V
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Serie TrenchFET® - PowerTrench® TrenchFET®
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V 11nC @ 4.5V 10nC @ 10V 8nC @ 5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

SI6954ADQ-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI6954ADQ-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI6954ADQ-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Informazioni ambientali
Material Compliance.pdf
PCN Design/Specifica
Epoxy Materials 07/Jan/2022.pdf
Schede tecniche
Si6954ADQ.pdf

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SI6954ADQ-T1-E3

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