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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTD4860NAT4G
NTD4860NAT4G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTD4860NAT4G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTD4860NAT4G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTD4860NAT4G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
NTD4860NAT4G.pdf
In magazzino: 5050

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NTD4860NAT4G
Specifiche tecniche onsemi - NTD4860NAT4G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTD4860NAT4G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.28W (Ta), 50W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1308 pF @ 12 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10.4A (Ta), 65A (Tc)  
Numero di prodotto di base NTD48  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTD4860NAT4G

Proprietà del prodotto NTD4860NAT4G NTD4858N-1G NTD4860NA-1G NTD4860NT4G
Modello di prodotti NTD4860NAT4G NTD4858N-1G NTD4860NA-1G NTD4860NT4G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1308 pF @ 12 V 1563 pF @ 12 V 1308 pF @ 12 V 1308 pF @ 12 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 4.5 V 19.2 nC @ 4.5 V 21.8 nC @ 10 V 16.5 nC @ 4.5 V
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V
Serie - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 1.28W (Ta), 50W (Tc) 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) 1.28W (Ta), 50W (Tc) 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10.4A (Ta), 65A (Tc) 11.2A (Ta), 73A (Tc) 10.4A (Ta), 65A (Tc) 10.4A (Ta), 65A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK I-PAK I-PAK DPAK
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5mOhm @ 30A, 10V 6.2mOhm @ 30A, 10V 7.5mOhm @ 30A, 10V 7.5mOhm @ 30A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base NTD48 NTD48 NTD48 NTD4860

NTD4860NAT4G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTD4860NAT4G PDF e la documentazione onsemi per NTD4860NAT4G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 10/Oct/2012.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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