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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTD4858NAT4G
NTD4858NAT4G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTD4858NAT4G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTD4858NAT4G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTD4858NAT4G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
NTD4858N.pdf
In magazzino: 3880

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NTD4858NAT4G
Specifiche tecniche onsemi - NTD4858NAT4G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTD4858NAT4G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 6.2mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1563 pF @ 12 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19.2 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11.2A (Ta), 73A (Tc)  
Numero di prodotto di base NTD48  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTD4858NAT4G

Proprietà del prodotto NTD4858NAT4G NTD4863NAT4G NTD4858N-1G NTD4856NT4G
Modello di prodotti NTD4858NAT4G NTD4863NAT4G NTD4858N-1G NTD4856NT4G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK I-PAK DPAK
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1563 pF @ 12 V 990 pF @ 12 V 1563 pF @ 12 V 2241 pF @ 12 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 6.2mOhm @ 30A, 10V 9.3mOhm @ 30A, 10V 6.2mOhm @ 30A, 10V 4.7mOhm @ 30A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19.2 nC @ 4.5 V 13.5 nC @ 4.5 V 19.2 nC @ 4.5 V 27 nC @ 4.5 V
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11.2A (Ta), 73A (Tc) 9.2A (Ta), 49A (Tc) 11.2A (Ta), 73A (Tc) 13.3A (Ta), 89A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base NTD48 NTD48 NTD48 NTD48
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) 1.27W (Ta), 36.6W (Tc) 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

NTD4858NAT4G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTD4858NAT4G PDF e la documentazione onsemi per NTD4858NAT4G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 27/Jan/2012.pdf
Schede tecniche
NTD4858N.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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