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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTD4860NA-1G
NTD4860NA-1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTD4860NA-1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTD4860NA-1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTD4860NA-1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
NTD4860N.pdf
In magazzino: 4280

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NTD4860NA-1G
Specifiche tecniche onsemi - NTD4860NA-1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTD4860NA-1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.28W (Ta), 50W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1308 pF @ 12 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21.8 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10.4A (Ta), 65A (Tc)  
Numero di prodotto di base NTD48  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTD4860NA-1G

Proprietà del prodotto NTD4860NA-1G NTD4858NT4G NTD4860NAT4G NTD4863NT4G
Modello di prodotti NTD4860NA-1G NTD4858NT4G NTD4860NAT4G NTD4863NT4G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK DPAK DPAK DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10.4A (Ta), 65A (Tc) 11.2A (Ta), 73A (Tc) 10.4A (Ta), 65A (Tc) 9.2A (Ta), 49A (Tc)
Numero di prodotto di base NTD48 NTD4858 NTD48 NTD48
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21.8 nC @ 10 V 19.2 nC @ 4.5 V 16.5 nC @ 4.5 V 13.5 nC @ 4.5 V
Dissipazione di potenza (max) 1.28W (Ta), 50W (Tc) 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) 1.28W (Ta), 50W (Tc) 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5mOhm @ 30A, 10V 6.2mOhm @ 30A, 10V 7.5mOhm @ 30A, 10V 9.3mOhm @ 30A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1308 pF @ 12 V 1563 pF @ 12 V 1308 pF @ 12 V 990 pF @ 12 V
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

NTD4860NA-1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTD4860NA-1G PDF e la documentazione onsemi per NTD4860NA-1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 07/Jul/2010.pdf
Schede tecniche
NTD4860N.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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