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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDP39N20
FDP39N20 Image
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FDP39N20 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDP39N20
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDP39N20
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 39A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FDP(F)39N20.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 29480

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDP39N20
Specifiche tecniche onsemi - FDP39N20, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDP39N20

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie UniFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 66mOhm @ 19.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 251W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2130 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 39A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDP39  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDP39N20

Proprietà del prodotto FDP39N20 FDP46N30 FDP39N20 FDP42AN15A0
Modello di prodotti FDP39N20 FDP46N30 FDP39N20 FDP42AN15A0
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Tensione drain-source (Vdss) 200 V - 200 V 150 V
Vgs (Max) ±30V - ±30V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 39A (Tc) - 39A (Tc) 5A (Ta), 35A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V - 49 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole - Through Hole Through Hole
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA - 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Numero di prodotto di base FDP39 - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 - TO-220-3 TO-220-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2130 pF @ 25 V - 2130 pF @ 25 V 2150 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 251W (Tc) - 251W (Tc) 150W (Tc)
Tipo FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 6V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 66mOhm @ 19.5A, 10V - 66mOhm @ 19.5A, 10V 42mOhm @ 12A, 10V
Serie UniFET™ * UniFET™ PowerTrench®
Contenitore / involucro TO-220-3 - TO-220-3 TO-220-3
Pacchetto Tube Bulk Bulk Bulk

FDP39N20 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDP39N20 PDF e la documentazione onsemi per FDP39N20 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FDP(F)39N20.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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