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United States(English) Canada(English) Mexico(español)
CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDP3672
FDP3672 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDP3672 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDP3672
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDP3672
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FDP3672.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 40460

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDP3672
Specifiche tecniche onsemi - FDP3672, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDP3672

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 33mOhm @ 41A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 135W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1670 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 105 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.9A (Ta), 41A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDP36  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDP3672

Proprietà del prodotto FDP3672 FDP3651U FDP3632 FDP3632
Modello di prodotti FDP3672 FDP3651U FDP3632 FDP3632
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Tensione drain-source (Vdss) 105 V 100 V 100 V 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1670 pF @ 25 V 5522 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.9A (Ta), 41A (Tc) 80A (Tc) 12A (Ta), 80A (Tc) 12A (Ta), 80A (Tc)
Pacchetto Tube Bulk Bulk Tube
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 6V, 10V 6V, 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base FDP36 - - FDP36
Rds On (max) a Id, Vgs 33mOhm @ 41A, 10V 18mOhm @ 80A, 10V 9mOhm @ 80A, 10V 9mOhm @ 80A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 135W (Tc) 255W (Tc) 310W (Tc) 310W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

FDP3672 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDP3672 PDF e la documentazione onsemi per FDP3672 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FDP3672.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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