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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDP4D5N10C
FDP4D5N10C Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDP4D5N10C - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDP4D5N10C
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDP4D5N10C
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
FDP4D5N10C, FDPF4D5N10C.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 15527

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDP4D5N10C
Specifiche tecniche onsemi - FDP4D5N10C, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDP4D5N10C

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 310µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta), 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5065 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 128A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDP4D5  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDP4D5N10C

Proprietà del prodotto FDP4D5N10C FDP42AN15A0 FDP55N06 FDP5500-F085
Modello di prodotti FDP4D5N10C FDP42AN15A0 FDP55N06 FDP5500-F085
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Bulk Bulk
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 310µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie PowerTrench® PowerTrench® UniFET™ Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta), 150W (Tc) 150W (Tc) 114W (Tc) 375W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5065 pF @ 50 V 2150 pF @ 25 V 1510 pF @ 25 V 3565 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 150 V 60 V 55 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 269 nC @ 20 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numero di prodotto di base FDP4D5 FDP42 - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 128A (Tc) 5A (Ta), 35A (Tc) 55A (Tc) 80A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5mOhm @ 100A, 10V 42mOhm @ 12A, 10V 22mOhm @ 27.5A, 10V 7mOhm @ 80A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 10V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V

FDP4D5N10C Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDP4D5N10C PDF e la documentazione onsemi per FDP4D5N10C - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T 17/Jun/2021.pdf
Schede tecniche
FDP4D5N10C, FDPF4D5N10C.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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