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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDP027N08B
FDP027N08B Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

FDP027N08B - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDP027N08B
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDP027N08B
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
FDP027N08B_F102.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 3640

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDP027N08B
Specifiche tecniche onsemi - FDP027N08B, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDP027N08B

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.7mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 246W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13530 pF @ 40 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 178 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 80 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDP027  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDP027N08B

Proprietà del prodotto FDP027N08B FDP032N08 FDP032N08 FDP030N06
Modello di prodotti FDP027N08B FDP032N08 FDP032N08 FDP030N06
fabbricante onsemi Texas Instruments onsemi onsemi
Rds On (max) a Id, Vgs 2.7mOhm @ 100A, 10V 3.2mOhm @ 75A, 10V 3.2mOhm @ 75A, 10V 3.2mOhm @ 75A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 80 V 75 V 75 V 60 V
Dissipazione di potenza (max) 246W (Tc) 375W (Tc) 375W (Tc) 231W (Tc)
Numero di prodotto di base FDP027 FDP032 FDP032 FDP030
Pacchetto Tube Bulk Tube Tube
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 178 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 151 nC @ 10 V
Serie PowerTrench® - PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13530 pF @ 40 V 15160 pF @ 25 V 15160 pF @ 25 V 9815 pF @ 25 V

FDP027N08B Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDP027N08B PDF e la documentazione onsemi per FDP027N08B - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FDP027N08B_F102.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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