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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDP025N06
FDP025N06 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

FDP025N06 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDP025N06
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDP025N06
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FDP025N06.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 14068

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDP025N06
Specifiche tecniche onsemi - FDP025N06, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDP025N06

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 395W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14885 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 226 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDP025  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Not Applicable
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDP025N06

Proprietà del prodotto FDP025N06 FDP030N06 FDP032N08B FDP027N08B
Modello di prodotti FDP025N06 FDP030N06 FDP032N08B FDP027N08B
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 - TO-220-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 226 nC @ 10 V 151 nC @ 10 V - 178 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 - TO-220-3
Dissipazione di potenza (max) 395W (Tc) 231W (Tc) - 246W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Pacchetto Tube Bulk Bulk Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14885 pF @ 25 V 9815 pF @ 25 V - 13530 pF @ 40 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® * PowerTrench®
Tipo montaggio Through Hole Through Hole - Through Hole
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA - 4.5V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5mOhm @ 75A, 10V 3.2mOhm @ 75A, 10V - 2.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) - 120A (Tc)
Numero di prodotto di base FDP025 - - FDP027
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V - 80 V

FDP025N06 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDP025N06 PDF e la documentazione onsemi per FDP025N06 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf SOA curve 01/Jul/2013.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FDP025N06.pdf
Assemblaggio/origine PCN
MFG Site Addition 09/Mar/2020.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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