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Nord America
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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDP032N08
FDP032N08 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDP032N08 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDP032N08
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDP032N08
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FDP032N08.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 13784

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDP032N08
Specifiche tecniche onsemi - FDP032N08, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDP032N08

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.2mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15160 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 75 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDP032  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDP032N08

Proprietà del prodotto FDP032N08 FDP032N08B FDP032N08B-F102 FDP032N08
Modello di prodotti FDP032N08 FDP032N08B FDP032N08B-F102 FDP032N08
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Texas Instruments
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V - 144 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 3.2mOhm @ 75A, 10V - 3.3mOhm @ 100A, 10V 3.2mOhm @ 75A, 10V
Contenitore / involucro TO-220-3 - TO-220-3 TO-220-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15160 pF @ 25 V - 10965 pF @ 40 V 15160 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Numero di prodotto di base FDP032 - FDP032 FDP032
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie PowerTrench® * PowerTrench® -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) - 120A (Tc) 120A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 - TO-220-3 TO-220-3
Pacchetto Tube Bulk Tube Bulk
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA - 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Tipo montaggio Through Hole - Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 75 V - 80 V 75 V
Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc) - 263W (Tc) 375W (Tc)

FDP032N08 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDP032N08 PDF e la documentazione onsemi per FDP032N08 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf SOA curve 01/Jul/2013.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FDP032N08.pdf
Assemblaggio/origine PCN
MFG Site Addition 09/Mar/2020.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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