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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDC6420C
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDC6420C - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDC6420C
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDC6420C
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
FDC6420C.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 109940

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDC6420C
Specifiche tecniche onsemi - FDC6420C, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDC6420C

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 3A, 4.5V  
Potenza - Max 700mW  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 324pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A, 2.2A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base FDC6420  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDC6420C

Proprietà del prodotto FDC6420C FDC6401N FDC6432SH FDC6432SH
Modello di prodotti FDC6420C FDC6401N FDC6432SH FDC6432SH
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 3A, 4.5V 70mOhm @ 3A, 4.5V 90mOhm @ 2.4A, 10V 90mOhm @ 2.4A, 10V
Potenza - Max 700mW 700mW 700mW 700mW
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V 4.6nC @ 4.5V 3.5nC @ 5V 3.5nC @ 5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 324pF @ 10V 324pF @ 10V 270pF @ 15V 270pF @ 15V
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 30V, 12V 30V, 12V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base FDC6420 FDC6401 FDC6432 FDC6432
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A, 2.2A 3A 2.4A, 2.5A 2.4A, 2.5A
Configurazione N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel N and P-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

FDC6420C Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDC6420C PDF e la documentazione onsemi per FDC6420C - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Marking Change 07/Oct/2022.pdf Marking Change 17/Nov/2021.pdf
Packaging PCN
Marking Change 07/Oct/2022.pdf Black Plastic Reel Update 30/Jun/2015.pdf
Schede tecniche
FDC6420C.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Capacity Expansion 10/Aug/2020.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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