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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDC642P-F085P
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDC642P-F085P - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDC642P-F085P
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDC642P-F085P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 4A TSOT23-6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
FDC642P-F085.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5390

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDC642P-F085P
Specifiche tecniche onsemi - FDC642P-F085P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDC642P-F085P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TSOT-23-6  
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 65mOhm @ 4A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.2W (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDC642  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDC642P-F085P

Proprietà del prodotto FDC642P-F085P FDC645N FDC645N FDC642P
Modello di prodotti FDC642P-F085P FDC645N FDC645N FDC642P
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta) 5.5A (Ta) 5.5A (Ta) 4A (Ta)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 10 V 1460 pF @ 15 V 1460 pF @ 15 V 925 pF @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs 65mOhm @ 4A, 4.5V 26mOhm @ 6.2A, 10V 26mOhm @ 6.2A, 10V 65mOhm @ 4A, 4.5V
Contenitore dispositivo fornitore TSOT-23-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 30 V 30 V 20 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V 21 nC @ 4.5 V 21 nC @ 4.5 V 16 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±8V ±12V ±12V ±8V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 1.2W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
Numero di prodotto di base FDC642 FDC645 - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -

FDC642P-F085P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDC642P-F085P PDF e la documentazione onsemi per FDC642P-F085P - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Schede tecniche
FDC642P-F085.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly Trsf 7/Mar/2019.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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