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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDC6392S
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDC6392S - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDC6392S
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDC6392S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 2.2A SUPERSOT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
FDC6392S.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5350

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDC6392S
Specifiche tecniche onsemi - FDC6392S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDC6392S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 150mOhm @ 2.2A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 960mW (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 369 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.2 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDC6392  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDC6392S

Proprietà del prodotto FDC6392S FDC640P FDC642P FDC638APZ
Modello di prodotti FDC6392S FDC640P FDC642P FDC638APZ
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base FDC6392 FDC640 - FDC638
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.2 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 16 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 960mW (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Ta) 4.5A (Ta) 4A (Ta) 4.5A (Ta)
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated) - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 150mOhm @ 2.2A, 4.5V 53mOhm @ 4.5A, 4.5V 65mOhm @ 4A, 4.5V 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 369 pF @ 10 V 890 pF @ 10 V 925 pF @ 10 V 1000 pF @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Vgs (Max) ±12V ±12V ±8V ±12V
Contenitore dispositivo fornitore SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6

FDC6392S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDC6392S PDF e la documentazione onsemi per FDC6392S - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 08/April/2008.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices EOL 12/Apr/2019.pdf
Schede tecniche
FDC6392S.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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