IL 2N2218 è un transistor di silicio NPN adattabile racchiuso in un pacchetto di metallo JEDEC TO-39, realizzato con tecnologia planari epitassiale.Questa scelta di progettazione migliora la sua affidabilità e efficacia tra più usi.È personalizzato per applicazioni a commutazione rapida, gestendo abilmente correnti da collezione fino a 500 Ma, rendendolo ideale per i circuiti che richiedono una rapida risposta e coerenza.Gli usi pratici includono circuiti di temporizzazione e circuiti di generazione di impulsi, in cui la necessità di velocità e affidabilità è dominante.Il 2N2218 brilla nella sua capacità di fornire un forte guadagno di corrente su un ampio spettro di correnti operative, offrendo sia affidabilità che efficienza.Ciò è specificamente vantaggioso nei circuiti di amplificazione in cui si desidera un guadagno costante.Un aspetto accattivante del 2N2218 è la sua bassa perdita e la ridotta tensione di saturazione, promuovendo un funzionamento efficiente e minimizzando la dissipazione di potenza non necessaria.Ciò migliora la funzione generale del circuito, una qualità molto apprezzata nelle considerazioni di progettazione.
PIN NO |
Nome PIN |
1 |
Emettitore |
2 |
Base |
3 |
Collettore |
Tipo |
Parametro |
Stato del ciclo di vita |
In produzione (ultimo aggiornamento: 1 mese fa) |
Tempo di consegna della fabbrica |
22 settimane |
Montare |
Attraverso il buco |
Tipo di montaggio |
Attraverso il buco |
Pacchetto / caso |
A-205AD, a-39-3 in metallo |
Numero di spille |
3 |
Pacchetto dispositivo fornitore |
TO-39 (TO-205AD) |
Current-Collector (IC) (Max) |
800 mA |
Numero di elementi |
1 |
Temperatura operativa |
-55 ° C ~ 200 ° C TJ |
Confezione |
Massa |
Pubblicato |
2007 |
Stato parte |
Interrotto |
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) |
1 (illimitato) |
Temperatura operativa massima |
200 ° C. |
Temperatura operativa min |
-55 ° C. |
Dissipazione massima di potenza |
800MW |
Polarità |
Npn |
Dissipazione del potere |
800MW |
Potenza - Max |
800MW |
Tipo di transistor |
Npn |
Tensione dell'emettitore collettore (VCEO) |
30V |
Corrente collettore massima |
800 mA |
DC Current Gain (HFE) (min) @ IC, VCE |
40 @ 150Ma 10V |
Currente - Cutoff del collettore (max) |
10na |
VCE saturazione (max) @ ib, ic |
1.6V @ 50Ma, 500ma |
Tensione - Breakdown emettitore collettore (max) |
30V |
Tensione di base del collettore (VCBO) |
60V |
Tensione di base dell'emettitore (VEBO) |
5v |
Indurimento da radiazioni |
NO |
Stato ROHS |
Non conforme non roHS |
Caratteristica |
Specifiche |
Tipo |
Npn |
Tensione da collezione-emettitore (VCE) |
30 v |
Tensione di base collettore (VCB) |
60 v |
Tensione di base emettita (VEB) |
5 v |
Corrente del collettore (IC) |
0.8 a |
Collector Dissipation (PC) |
0,8 w |
DC Current Gain (HFE) |
40 a 120 |
Frequenza di transizione (FT) |
250 MHz |
Temperatura operativa e di stoccaggio |
-65 a +200 ° C |
Pacchetto |
A-39 |
- 2N2219
- 2n4237
- NTE123
- 2n2219a
Il transistor 2N2218 eccelle nella commutazione ad alta velocità a causa della sua rapida capacità di risposta.Gestione della tensione rapida e delle modifiche alla corrente, si adatta a sistemi che prosperano sul ciclismo rapido.Spesso integrato nei circuiti di controllo automatizzati, aumenta l'abilità operativa, garantendo un tempismo preciso.Nell'automazione industriale e nella robotica, in cui la prontezza offre un netto vantaggio, questo tratto diventa per lo più prezioso.
Nei domini audio e di segnale, il 2N2218 amplifica con chiarezza, migliorando efficacemente gli input deboli.La sua linearità riduce al minimo la distorsione, aumenta la qualità del suono.In Impostazioni audio in diretta e studi di registrazione, il transistor salvaguarda l'integrità del suono, arricchendo la tua esperienza e il calibro di produzione.Il suo design robusto si rivolge a un arco di esigenze di amplificazione, dai potenziamenti rudimentali all'interfaccia audio complessa.
I circuiti RF richiedono componenti che mantengono le prestazioni ad alta frequenza senza soluzione di continuità.Il 2N2218 fornisce la stabilità e l'affidabilità richieste nei sistemi RF.È la chiave nei dispositivi di comunicazione wireless per preservare la chiarezza del segnale tra le frequenze.Puoi favorirlo negli amplificatori RF per garantire un'uscita costante e una riduzione del rumore, supportando la domanda di connettività impeccabile.
Utilizzato nelle coppie di Darlington, il 2N2218 migliora notevolmente il guadagno corrente, adatto per carichi più pesanti.Comune nei controlli motori e nei circuiti di alimentazione, questa configurazione gestisce in modo efficiente il flusso di corrente, minimizzando le soluzioni di dissipazione del calore voluminose.Puoi sfruttare queste coppie per una gestione di energia compatta ed efficiente, ottimizzando i fattori spaziali e di prestazione.
La versatilità del 2N2218 comprende una vasta gamma di applicazioni, soddisfacendo varie esigenze di circuito.La sua natura adattabile lo rende un pilastro negli esperimenti e nello sviluppo del prototipo, offrendo un terreno di test affidabile per le innovazioni.Praticamente, puoi valutare la sua flessibilità, supportando tutto, dai piccoli gadget a circuiti intricati, affermando il suo fascino duraturo in più arene.
Numero parte |
Produttore |
Montare |
Pacchetto / caso |
Polarità |
Tensione - Collector Emetter
Breakdown (max) |
Corrente collettore massima |
Dissipazione massima di potenza |
Dissipazione del potere |
Livello di sensibilità all'umidità
(MSL) |
Visualizza confronta |
2N2218 |
Microsemi Corporation |
Attraverso il buco |
A-205AD, a-39-3 in metallo |
Npn |
30V |
800 Ma |
800 MW |
800 MW |
1 (illimitato) |
2N2218 vs 2N2219A |
2n2219a |
Microsemi Corporation |
Attraverso il buco |
A-205AD, a-39-3 in metallo |
Npn |
50V |
800 Ma |
800 MW |
800 MW |
1 (illimitato) |
2N2218 vs 2N2219A |
Jantx2n2219a |
Microsemi Corporation |
Attraverso il buco |
A-205AD, a-39-3 in metallo |
Npn |
50V |
800 Ma |
800 MW |
800 MW |
1 (illimitato) |
2n2218 vs jantx2n2219a |
Jan2N2219a |
Microsemi Corporation |
Attraverso il buco |
A-205AD, a-39-3 in metallo |
Npn |
50V |
800 Ma |
800 MW |
800 MW |
1 (illimitato) |
2N2218 vs Jan2n2219a |
Il transistor 2N2218, con la sua capacità di gestire fino a 800 mA, si presta bene a una varietà di applicazioni.Serve nell'alimentazione di componenti ad alta potenza, nell'amplificare i segnali audio e funzionare in modo efficiente all'interno dei sistemi RF.Un'attenta considerazione della temperatura di giunzione e della gestione termica diventa importante in questi scenari per mitigare i rischi di surriscaldamento.
Nelle applicazioni pratiche, la gestione dell'attuale distribuzione e dissipazione del calore per il 2N2218 richiede attenzione ai dettagli e un approccio ponderato.Puoi spesso fare affidamento su dissipatori di calore o ventole di raffreddamento per mantenere le temperature che favoriscono un funzionamento ottimale.Inoltre, le condizioni ambientali ambientali svolgono un ruolo sostanziale, influenzando profondamente le prestazioni e la sicurezza del transistor, giustificando una comprensione ricca di esperienza.
• Amplificazione del segnale audio: nel mondo dell'amplificazione audio, il 2N2218 eccelle a causa della sua capacità di amplificare i segnali con distorsione minima.Questo lo rende un'opzione attraente per coloro che cercano di migliorare la qualità del suono.Concentrandosi sul raggiungimento di un armonioso equilibrio tra guadagno e larghezza di banda, è possibile realizzare l'output audio che sia sia chiaro che potente.
• Applicazioni a radiofrequenza (RF): i punti di forza del 2N2218 nelle applicazioni RF derivano dalla sua risposta e stabilità ad alta frequenza.All'interno dei circuiti RF, per ridurre la perdita e l'interferenza sono necessarie meticolose impedenza e schermatura proattiva.L'arte del design RF combina approfondimenti nozionali con test metodici e perfezionamenti iterativi, sottolineando l'impegno per le prestazioni di perfezionamento.
Microsemi Corporation emerge come un notevole contributo alle innovazioni tecnologiche, concentrandosi in gran parte sulle industrie aerospaziali e di difesa.Si specializzano nella creazione di circuiti integrati a segnale misto ad alte prestazioni, strumenti di gestione dell'efficienza efficienti e soluzioni RF affidabili.Questi componenti aiutano a garantire che i sistemi funzionino in condizioni rigorose, promuovendo i progressi.
Gli strumenti di gestione dell'energia sofisticati di Microsemi soddisfano le richieste di efficienza energetica attiva.Migliorano il consumo di energia mantenendo prestazioni, un delicato equilibrio, specialmente nelle tecnologie di difesa in cui l'accesso al potere può influenzare i risultati operativi.Come riflesso nelle tendenze del settore, un consumo di energia efficiente sta diventando importante per lo sviluppo tecnologico sostenibile.
Il 2N2218 è realizzato per eccellere in scenari a commutazione rapida, gestendo correnti di collezionisti fino a 500 Ma con notevole efficienza nel guadagno attuale.È spesso scelto per i circuiti che necessitano di transizioni rapide, rendendolo prezioso nella generazione di impulsi e nei regolatori di commutazione.La sua incorporazione senza soluzione di continuità in diversi progetti elettronici ne evidenzia spesso adattabilità e prestazioni affidabili.
Operando in genere a una tensione di emettitore da collezione di circa 28 V, il 2N2218 garantisce funzionalità stabili tra varie applicazioni.Il corretto utilizzo all'interno di questi confini di tensione rivela la sua resilienza ed efficacia.Questa qualità diventa per lo più evidente durante le fasi di prototipazione e test, guadagnando un cenno silenzioso di approvazione per la sua affidabilità.
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