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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDA8440
FDA8440 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDA8440 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDA8440
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDA8440
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TO3PN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-3P-3, SC-65-3
Scheda dati
FDA8440.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4890

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDA8440
Specifiche tecniche onsemi - FDA8440, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDA8440

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PN  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.1mOhm @ 80A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 306W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 24740 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 450 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta), 100A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDA84  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDA8440

Proprietà del prodotto FDA8440 FDA62N28 FDA75N28 FDAF59N30
Modello di prodotti FDA8440 FDA62N28 FDA75N28 FDAF59N30
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PN TO-3PN TO-3PN TO-3PF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 24740 pF @ 25 V 4630 pF @ 25 V 6700 pF @ 25 V 4670 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Numero di prodotto di base FDA84 - FDA75 FDAF59
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta), 100A (Tc) 62A (Tc) 75A (Tc) 34A (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 306W (Tc) 500W (Tc) 520W (Tc) 161W (Tc)
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3 Full Pack
Serie PowerTrench® UniFET™ UniFET™ UniFET™
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (max) a Id, Vgs 2.1mOhm @ 80A, 10V 51mOhm @ 31A, 10V 41mOhm @ 37.5A, 10V 56mOhm @ 17A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 450 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 144 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 280 V 280 V 300 V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V

FDA8440 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDA8440 PDF e la documentazione onsemi per FDA8440 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Site Transfer 06/Apr/2015.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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