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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloKSD363R
KSD363R Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

KSD363R - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
KSD363R
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-KSD363R
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 120V 6A TO220-3
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
KSD363.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4230

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Specifiche

Specifiche tecnologiche KSD363R
Specifiche tecniche onsemi - KSD363R, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - KSD363R

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 120 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie -  
Potenza - Max 40 W  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 10MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 1A, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 1mA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 6 A  
Numero di prodotto di base KSD363  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi KSD363R

Proprietà del prodotto KSD363R KSD363YTU KSD363RTU KSD363YTU
Modello di prodotti KSD363R KSD363YTU KSD363RTU KSD363YTU
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Potenza - Max 40 W 40 W 40 W 40 W
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 1A, 5V 120 @ 1A, 5V 40 @ 1A, 5V 120 @ 1A, 5V
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 120 V 120 V 120 V 120 V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A 1V @ 100mA, 1A 1V @ 100mA, 1A 1V @ 100mA, 1A
Corrente - collettore (Ic) (max) 6 A 6 A 6 A 6 A
Tipo transistor NPN NPN NPN NPN
Frequenza - transizione 10MHz 10MHz 10MHz 10MHz
Pacchetto Bulk Bulk Tube Tube
Corrente - Cutoff collettore (max) 1mA (ICBO) 1mA (ICBO) 1mA (ICBO) 1mA (ICBO)
Numero di prodotto di base KSD363 - KSD363 KSD363
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie - - - -

KSD363R Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica KSD363R PDF e la documentazione onsemi per KSD363R - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf KSD363.pdf
PCN Design/Specifica
Lead Frame Dimensions 29/Nov/2007.pdf

Metodo di spedizione

Tempi di consegna

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
Contattaci se hai domande.

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