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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matriciBYV430K-300PQ
WeEn Semiconductors
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BYV430K-300PQ - WeEn Semiconductors

fabbricante Modello di prodotti
BYV430K-300PQ
fabbricante
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Allelco Modello di prodotti
32D-BYV430K-300PQ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE ARRAY GP 300V 30A TO3P
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-3P-3, SC-65-3
Scheda dati
BYV430K-300P.pdf
In magazzino: 32191

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BYV430K-300PQ
Specifiche tecniche WeEn Semiconductors - BYV430K-300PQ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad WeEn Semiconductors - BYV430K-300PQ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante WeEn Semiconductors Co., Ltd  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.25 V @ 30 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 300 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 55 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione 175°C (Max)  
Tipo montaggio Through Hole  
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 300 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 30A  
Numero di prodotto di base BYV430  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di WeEn Semiconductors BYV430K-300PQ

Proprietà del prodotto BYV430K-300PQ BYV52-200 BYV541V-200 BYV42E-200127
Modello di prodotti BYV430K-300PQ BYV52-200 BYV541V-200 BYV42E-200127
fabbricante WeEn Semiconductors STMicroelectronics STMicroelectronics WeEn Semiconductors Co., Ltd
Contenitore dispositivo fornitore TO-3P SOT-93 ISOTOP® -
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) -
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10 µA @ 300 V 25 µA @ 200 V 50 µA @ 200 V -
Pacchetto Tube Tube Tube -
Tempo di ripristino inverso (trr) 55 ns 50 ns 60 ns -
Tecnologia Standard Standard Standard -
Tensione - inversa (Vr) (max) 300 V 200 V 200 V -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Chassis Mount -
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 30A 30A 50A -
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.25 V @ 30 A 850 mV @ 20 A 850 mV @ 50 A -
Serie - - - -
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 2 Independent -
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 TO-218-3 ISOTOP -
Temperatura di funzionamento - Giunzione 175°C (Max) -40°C ~ 150°C 150°C (Max) -
Numero di prodotto di base BYV430 BYV52 BYV541 -

BYV430K-300PQ Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BYV430K-300PQ PDF e la documentazione WeEn Semiconductors per BYV430K-300PQ - WeEn Semiconductors.

Packaging PCN
All Device Label Chg 14/Feb/2020.pdf
Schede tecniche
BYV430K-300P.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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